UC Santa Barbara تقترح مركز CN - عيب سيليكوني مستقر للشبكات الكمومية

اقترح باحثو UCSB عيب السيليكون من نوع مركز CN بوصفه باعث كيوبت مستقراً بنيوياً في نطاق الاتصالات، مما يحل مشكلة هشاشة مراكز T الناجمة عن هجرة الهيدروجين أثناء التصنيع. وتستكشف Photonic Inc. في الوقت ذاته مراكز T المستبدلة بالديوتيريوم لتحسين التحكم في المجال المغناطيسي.

تُمثّل باعثات نطاق الاتصالات الأساس للبنى الكمومية المعيارية التي تربط المعالجات الموزعة عبر الألياف الضوئية القياسية.